启用全部高数值孔径EUV光刻机产能-英特尔与ASML合作

根据 IT 之家 5 月 8 日的报道，英特尔最近宣布已成功安装了世界首台商用高数值孔径（HighNA）EUV 光刻机，这台耗资约 3.5 亿美元（约合人民币 25.23 亿元）的巨大设备将在今年内正式投入使用。据 TheElec 报道，截至明年上半年，几乎所有高数值孔径 EUV 设备的订单都已由英特尔承包，包括今年计划生产的五台设备都将交付给这家美国芯片制造商。消息人士透露，由于 ASML 每年的高数值孔径 EUV 设备产能大约为 5 到 6 台，这意味着英特尔将会获得全部初始库存，而竞争对手三星和 SK 海力士预计将在明年下半年才能获取这些设备。

对于高数值孔径，瞧，IT 之家这里简要解释一下。在光刻设备中，NA 代表数值孔径，表示光学系统的收集和聚光能力。数值越高，聚光能力就越强。相较于目前的 EUV 设备的 0.33 数值孔径，新一代 EUV 设备的 NA 值直接增加到了 0.55，具有 1.7 倍于目前 0.33 NA EUV 光刻机的一维密度，在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。

英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管菲利普斯表示，英特尔将在今年晚些时候开始使用 HighNA EUV 光刻机进行制程开发工作。英特尔计划在 18A 尺度的概念验证节点上测试 HighNA EUV 和传统 0.33 NA EUV 光刻的混合使用，并在之后的 14A 节点上进入商业化量产阶段。菲利普斯预计 HighNA EUV 光刻机至少在未来三代节点上会被继续使用，从而将光刻技术的名义尺度推进到 1 纳米以下的水平。

菲利普斯认为，未来光刻技术的发展将需要进一步缩短光线波长至 6.7 纳米，这将带来许多新问题，包括明显更大的光学组件；在他看来，采用更高数值孔径（HyperNA）是一个可能的技术方向。对于 HighNA EUV 光刻带来的单芯片理论最大面积减小问题，菲利普斯表示，英特尔正与 EDA 企业共同开发芯片缝合技术，以便设计师更容易应用。

由于英特尔于 2021 年重新进入芯片代工市场，因此需要更快地采用高数值孔径 EUV 技术来赢得客户的信任。英特尔代工业务去年亏损了 70 亿美元（约合人民币 504.7 亿元），看来要走的路还很漫长。